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SSM6N76FE中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SSM6N76FE
廠商型號(hào)

SSM6N76FE

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

絲印標(biāo)識(shí)

S5

封裝外殼

ES6

文件大小

265.95 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-9 23:00:00

SSM6N76FE規(guī)格書詳情

Applications

? High-Speed Switching

Features

(1) 1.5-V gate drive voltage.

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 235 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V, ID = 800 mA)

RDS(ON) = 300 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V, ID = 600 mA)

RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V, ID = 200 mA)

RDS(ON) = 840 mΩ (max) (@VGS = 1.5 V, ID = 50 mA)

(3) Low leakage current

(4) N-ch 2-in-1

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TOSHIBA(東芝)
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NA/
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原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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