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SSM6N951L,EFF_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-陣列-Toshiba Semiconductor and Storage

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  • 廠家型號(hào)：

    SSM6N951L,EFF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9405

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-陣列

  • 封裝外殼：

    6-SMD，無(wú)引線

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-23 15:00:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SSM6N951L,EFF品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說(shuō)明：SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO

SSM6N951L,EFF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝6-SMD，無(wú)引線的SSM6N951L,EFF晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場(chǎng)控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說(shuō)，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時(shí)使用兩者。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

  • 芯片型號(hào)：

    ssm6n951l,eff

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 資料說(shuō)明：

    SMALL SIGNAL MOSFET RDSON: 4.4MO

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SSM6N951L,EFF

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型：

    2 N 溝道（雙）共漏

  • FET 功能：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源電壓（Vdss）：

    12V

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    8A

  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：

    5.1 毫歐 @ 8A，4.5V

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-SMD，無(wú)引線

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-TCSPA（2.14x1.67）

  • 描述：

    SMALL SIGNAL MOSFET RDSON

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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