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SSM6P49NU

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

Features (1)1.8Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=157m?(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=76m?(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=56m?(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=45m?(max)(@VGS=-10V) Applications ?PowerManagementSwitches

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SSM6P49NU

  • 功能描述:

    MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SSM6P49NU供應(yīng)商 更新時間2025-1-29 15:14:00