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08P06P

SIPMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

F08P06S

Dual-PEnhancementMOSFET

Features ?VDS=-60V,ID=-8A ?RDS(ON)=570mΩ@VGS=-10V(Typ.) ?RDS(ON)=105mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) MainApplications ?BatteryProtection ?LoadSwitch ?PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SPB08P06P

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB08P06P

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPB08P06PG

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SPB08P06PG

SIPMOS?Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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SIPMOS?Power-TransistorFeaturesP-ChannelEnhancementmode

InfineonInfineon Technologies AG

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更多SSP08P06P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 16:00:00

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