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SST26VF064BT-104I/MN集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
SST26VF064BT-104I/MN |
| 參數(shù)屬性 | SST26VF064BT-104I/MN 封裝/外殼為8-WDFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WDFN |
| 功能描述 | 2.5V/3.0V 64 Mbit Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory |
| 封裝外殼 | 8-WDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
3.11937 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
85 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microchip Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
Microchip【微芯科技】 |
| 中文名稱 | 微芯科技股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-17 10:46:00 |
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SST26VF064BT-104I/MN規(guī)格書詳情
SST26VF064BT-104I/MN屬于集成電路（IC）的存儲器。由微芯科技股份有限公司制造生產(chǎn)的SST26VF064BT-104I/MN存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
SST26VF064BT-104I/MN
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 系列：
SST26 SQI?
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
閃存
- 技術(shù)：
閃存
- 存儲容量：
64Mb（8M x 8）
- 存儲器接口：
SPI - 四 I/O
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
1.5ms
- 電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-WDFN 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-WDFN（6x8）
- 描述：
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WDFN
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip(微芯) |
23+ |
NA |
20094 |
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Microchip |
8-WDFN |
24+ |
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專注原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子 |
詢價(jià) | ||
MICROCHIP(美國微芯) |
23+ |
DFN-8-EP(6x8) |
2317 |
特價(jià)優(yōu)勢庫存質(zhì)量保證穩(wěn)定供貨 |
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MICROCHIP(美國微芯) |
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