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SSVMUN5312DW1T2G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363華斯頓科技

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  • 廠家型號(hào)：

    SSVMUN5312DW1T2G

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    19238

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT363

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-25 16:50:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SSVMUN5312DW1T2G品牌：ON

絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨

  • 芯片型號(hào)：

    SSVMUN5312DW1T2G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SSVMUN5312DW1T2G

  • 功能描述：

    TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路

  • 系列：

    *

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    -

  • 晶體管類型：

    NPN 電流 -

  • 集電極(Ic)（最大）：

    1A 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：

    30V

  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：

    200mV @ 100mA，1A 電流 -

  • 集電極截止（最大）：

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 時(shí)的最小直流電流增益(hFE)：

    300 @ 500mA，5V 功率 -

  • 最大：

    710mW 頻率 -

  • 轉(zhuǎn)換：

    100MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 其它名稱：

    MMBT489LT1GOSDKR

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市華斯頓科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生-余先生-夏小姐-張小姐

  • 手機(jī)：

    13925279453

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83777708/83777607/82799993

  • 傳真：

    0755-83355559

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓A18室/分公司:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北深紡大廈C座西7樓/市場(chǎng)部:華強(qiáng)北新亞洲電子市場(chǎng)3B047展銷柜

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