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ST12N10D

N Channel Enhancement Mode MOSFET

STANSON

Stanson Technology

ST12N10D

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

STD12N10L

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

STD12N10L

N-CHANNEL100V-0.12ohm-12ATO-252LOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNEL100V-0.12?-12ATO-252LOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.12? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■LOWTHRESHOLDDRIVE ■FORTHROUGH-HOLEVERSIONCONTACT SALESOFFICE APPLI

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

T12N10

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

T12N10G

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

TSG12N10AT

100VN-ChannelDTMOS

WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光國微紫光國芯微電子股份有限公司

UT12N10

N-Channel100V(D-S)MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

UT12N10

12Amps,100VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTCUT12N10isanN-channelmodePowerFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustumerswithminimumon-stateresistancebyextremelyhighdensecelldesign.Moreover,it‘sgoodathandinghighpowerandcurrent. FEATURES *RDS(ON)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

WSF12N10

N-ChMOSFET

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微碩半導(dǎo)體微碩半導(dǎo)體(深圳)有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
STANSON
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更多ST12N10D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-26 10:11:00