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2SD882	文件：92.09 Kbytes Page：8 Pages	NPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR Description ThedeviceisaNPNtransistormanufacturedbyusingplanartechnologyresultinginruggedhighperformancedevices.ThecomplementaryPNPtypeis2SB772. Features ■Highcurrent ■Lowsaturationvoltage ■Complementto2SB772 Applications ■Voltageregulation ■Relaydriver ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
2SD882	文件：349.95 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTOR The2SD882isNPNsilicontransistorsuitedfortheoutputstageof3wattsaudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelaydriver. ?Lowsaturationvoltage VCE(sat)=0.5VMAX.(IC=?2A,IB=0.2A) ?ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to40	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SD882	文件：216 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERLOWVOLTAGETRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2SD882	文件：263.75 Kbytes Page：5 Pages	PNP/NPNEpitaxialPlanarTransistors PNP/NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SD882	文件：165.08 Kbytes Page：2 Pages	NPN(fortheoutputstageof3wattsaudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelaydriver) SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SD882	文件：163.09 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Complementtotype2SB772 APPLICATIONS ?Audioamplifier ?Voltageregulator ?DC-DCconverter ?Relaydriver	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD882	文件：204.35 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?WithTO-126package ?Complementtotype2SB772 APPLICATIONS ?Audioamplifier ?Voltageregulator ?DC-DCconverter ?Relaydriver	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD882	文件：51 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconPowerTransistor Features ●ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to400(VCE=2V,IC=1A)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SD882	文件：64.58 Kbytes Page：1 Pages	Itisintentedforuseinpoweramplifierandswitchingapplications. DESCRIPTION Itisintentedforuseinpower amplifierandswitchingapplications.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
2SD882	文件：716.35 Kbytes Page：5 Pages	PNP/NPNEpitaxialPlanarTransistors	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SD882	文件：109.82 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
2SD882	文件：1.00042 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearityandhighhFE. Applications Outputstageof3wattsaudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelaydriver.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
2SD882	文件：164.74 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD882	文件：3.64026 Mbytes Page：3 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●PowerDissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
2SD882	文件：117.55 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
2SD882	文件：584.96 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors Features ●ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to400(VCE=2V,IC=1A)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
2SD882	文件：1.47362 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89NPNMediumPowerTransistor FEATURES ·Highcurrentoutputupto3A; ·Lowsaturationvoltage. Applications ·Audiopoweramplifier; ·DC-DCconverter; ·Voltageregulator.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
2SD882	文件：268.44 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION The2SD882isNPNsilicontransistorsuitedfortheoutputstageof3 wattsaudioamplifier,voltageregulator,DC-DCconverterandrelay driver. FEATURES ?Lowsaturationvoltage VCE(sat)=0.5VMAX.(IC=?2A,IB=0.2A) ?ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
2SD882	文件：290.48 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·HighCollectorCurrent-IC=3.0A ·LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Max)@IC=2.0A,IB=0.2A ·GoodLinearityofhFE ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Suitedfortheoutputstageof3wattsaudioamplifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD882	文件：1.48515 Mbytes Page：4 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES PowerDissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ

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