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STA335A分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列規(guī)格書PDF中文資料

STA335A
廠商型號

STA335A

參數(shù)屬性

STA335A 封裝/外殼為8-SIP;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列;產(chǎn)品描述:THYRISTOR ARRAY SIP

功能描述

Power Transistor Array
THYRISTOR ARRAY SIP

封裝外殼

8-SIP

文件大小

22.46 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 Sanken electric
企業(yè)簡稱

Sanken三墾

中文名稱

三墾電氣株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-9 9:12:00

STA335A規(guī)格書詳情

STA335A屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列。由三墾電氣株式會社制造生產(chǎn)的STA335A晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列雙極晶體管陣列在同一封裝中包含兩個或更多的分立晶體管,這些晶體管可在電氣上完全隔離,也可在器件封裝內(nèi)部以某種形式互連。陣列中包含的器件具有相近或互補的特性,采用共同封裝可最大程度減小器件在工作過程中的溫差。

Power Transistor Array

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STA335A

  • 制造商:

    Sanken

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    2 NPN(雙)

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    2A

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    36V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    500mV @ 5mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    500 @ 500mA,4V

  • 功率 - 最大值:

    2.5W

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    8-SIP

  • 供應商器件封裝:

    8-SIP

  • 描述:

    THYRISTOR ARRAY SIP

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