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STAC2932B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STAC2932B
廠商型號(hào)

STAC2932B

參數(shù)屬性

STAC2932B 封裝/外殼為STAC244B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B

功能描述

Excellent thermal stability
TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B

封裝外殼

STAC244B

文件大小

470.01 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-30 9:38:00

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STAC2932B規(guī)格書(shū)詳情

STAC2932B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STAC2932B晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

Description

The STAC2932B is a gold metallized N-channel MOS field-effect RF power transistor, intended for use in 50 V DC large signal applications up to 250 MHz.

The STAC2932B benefits from the latest generation of efficient, patent-pending package technology, otherwise known as STAC?

Features

■ Gold metallization

■ Excellent thermal stability

■ Common source push-pull configuration

■ POUT = 300 W min. with 20 dB gain @ 175 MHz

■ In compliance with the 2002/95/EC European directive

■ ST air cavity packaging technology - STAC? package

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STAC2932B

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    N 通道

  • 頻率:

    175MHz

  • 額定電流(安培):

    40A

  • 功率 - 輸出:

    390W

  • 封裝/外殼:

    STAC244B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    STAC244B

  • 描述:

    TRANS RF PWR N-CH 300W STAC244B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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