首頁>STB120N4LF6>詳情

STB120N4LF6_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE華斯頓科技

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    STB120N4LF6

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST

  • 庫存數(shù)量：

    20608

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO252

  • 生產(chǎn)批號：

    22+23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-12 16:49:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：STB120N4LF6品牌：ST

絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨

  • 芯片型號：

    STB120N4LF6

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    18 頁

  • 文件大?。?/span>

    897.83 kb

  • 資料說明：

    N-channel 40 V, 3.1 m廓, 80 A DPAK, D?PAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    STB120N4LF6

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市華斯頓科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生-余先生-夏小姐-張小姐

  • 手機(jī)：

    13925279453

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83777708/83777607/82799993

  • 傳真：

    0755-83355559

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓A18室/分公司:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北深紡大廈C座西7樓/市場部:華強(qiáng)北新亞洲電子市場3B047展銷柜

相近型號