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STB12NM50N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STB12NM50N
廠商型號(hào)

STB12NM50N

功能描述

N-channel 500V - 0.29廓 - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

文件大小

510.43 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-25 17:43:00

STB12NM50N規(guī)格書詳情

Description

This series of devices is realized with the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistancel

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB12NM50N

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHANNEL MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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ST/意法
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D2PAK
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