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STB13NM50N-1_STMICROELECTRONICS/意法半導體_MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT恒創(chuàng)達1部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
STB13NM50N-1
- 功能描述:
MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
肖小姐/朱先生
- 手機:
15920072019
- 詢價:
- 電話:
0755-82783616
- 傳真:
0755-82785936
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號世界貿(mào)易廣場C座1102室
相近型號
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