首頁>STB150N3LH6>詳情

STB150N3LH6_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE河鋒鑫商城

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    STB150N3LH6

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量：

    9000

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

  • 生產(chǎn)批號：

    22+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-18 13:39:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：STB150N3LH6品牌：ST

原廠渠道,現(xiàn)貨配單

  • 芯片型號：

    STB150N3LH6

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體（ST）集團

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    15 頁

  • 文件大?。?/span>

    1003.61 kb

  • 資料說明：

    N-channel 30 V, 2.4 m??typ., 80 A, STripFET??VI DeepGATE?? Power MOSFET in D?PAK package

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    STB150N3LH6

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市河鋒鑫科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊佳河

  • 手機：

    13652326683

  • 詢價：
  • 電話：

    13652326683

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1078號現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

相近型號