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STB155N3LH6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
STB155N3LH6 |
| 功能描述 | N-channel 30 V, 2.4 m廓 , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET |
| 文件大小 |
1.01349 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-6 10:36:00 |
STB155N3LH6規(guī)格書詳情
Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET? DeepGATE? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on) in all packages.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Logic level drive
Applications
■ Switching applications
■ Automotive
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
STB155N3LH6
- 功能描述：
MOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi/臺(tái)灣微碧 |
TO-263 |
399000 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-263-3 |
7188 |
秉承只做原裝 終端我們可以提供技術(shù)支持 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
360000 |
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263-3 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ST |
848 |
只做正品 |
詢價(jià) | ||||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
25750 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) |
