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STB15NM60N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STB15NM60N |
| 功能描述 | N-channel 600V - 0.270廓 - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET |
| 文件大小 |
607.96 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-3 13:33:00 |
STB15NM60N規(guī)格書詳情
Description
This series of devices implements the second generation of MDmesh? Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STB15NM60N
- 功能描述：
MOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
09+ |
1 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
ST |
2405+ |
原廠封裝 |
50000 |
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83268490鄒小姐 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
10000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-263 |
7500 |
詢價 | |||
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
詢價 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
TO263 |
50000 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||
STM |
2020+ |
TO263 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO263-2 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
STM原廠目錄 |
24+ |
D2PAK |
28500 |
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售 |
詢價 |
