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STB15NM60N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB15NM60N
廠商型號(hào)

STB15NM60N

功能描述

N-channel 600V - 0.270廓 - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET

文件大小

607.96 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-6 13:30:00

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STB15NM60N規(guī)格書詳情

Description

This series of devices implements the second generation of MDmesh? Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB15NM60N

  • 功能描述:

    MOSFET N Ch 600V 0.270 ohm 14A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST
24+
TO-263
7500
詢價(jià)
ST
24+
09+
1
原裝現(xiàn)貨假一罰十
詢價(jià)
ST
2405+
原廠封裝
50000
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83268490鄒小姐
詢價(jià)
ST
23+
TO-263
10000
原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
STMicroelectronics
21+
D2PAK
1000
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營)!
詢價(jià)
ST/意法
22+
N
28000
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十
詢價(jià)
STMicroelectronics
23+
TO263
50000
只做原裝正品
詢價(jià)
ST/意法
23+
NA/
3285
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
詢價(jià)
STM
2020+
TO263
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
ST
2315+
D2PAK
3866
優(yōu)勢代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨
詢價(jià)