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STB200NF04-1中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STB200NF04-1
廠商型號(hào)

STB200NF04-1

功能描述

N-CHANNEL 40V - 120 A - 3.3 mOHM TO-220/D2PAK/I2PAK STripFETII MOSFET

文件大小

404.4 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-16 20:00:00

STB200NF04-1規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

This MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “Single Feature Size?” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

General Features

■ STANDARD THRESHOLD DRIVE

■ 100 AVALANCHE TESTED

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED

■ AUTOMOTIVE

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB200NF04-1

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    STripFET™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
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NA/
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22+
TO263
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STMicro.
23+
I2PAK
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
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