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STB20NM60T4中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STB20NM60T4
廠商型號(hào)

STB20NM60T4

功能描述

N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

B20NM60

封裝外殼

D2PAK

文件大小

355.14 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-20 23:00:00

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STB20NM60T4規(guī)格書(shū)詳情

Features

1. High dv/dt and avalanche capabilities

2. 100 avalanche tested

3. Low input capacitance and gate charge

4. Low gate input resistance

Applications

1. Switching applications

Description

The MDmesh? is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple

drain process with the company’s PowerMESH horizontal layout. The resulting product has an

outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The

adoption of the company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance

that is significantly better than that of similar competition’s products.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB20NM60T4

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法)
24+
NA/
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原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
詢價(jià)
STM
23+
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8000
全新原裝假一賠十
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成
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原裝現(xiàn)貨支持送檢
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TO-263-3 (D2PAK)
50000
原裝正品 支持實(shí)單
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ST/意法
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專注全新正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨供應(yīng)
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22+
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2000
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
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TO-263-3
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原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價(jià)優(yōu)
詢價(jià)