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STB26NM60N規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
? Low Drain-Source On-Resistance
FEATURES
? Drain Current –ID=20A@ TC=25℃
? Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min)
? Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 165mΩ (Max)
? 100 avalanche tested
? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
APPLICATIONS
? Switching application
產品屬性
- 型號：
STB26NM60N
- 功能描述：
MOSFET POWER MOSFET N-CH 600V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導體 |
24+ |
TO-263-3 |
7188 |
秉承只做原裝 終端我們可以提供技術支持 |
詢價 | ||
ST(意法) |
13301 |
D2PAK |
8 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原裝現貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
TO-263-3 |
36900 |
集團化配單-有更多數量-免費送樣-原包裝正品現貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ST/意法 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現貨 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
6500 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險!! |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原裝,質量保證 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
DPAK |
2022 |
16 |
80000 |
原裝現貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
15000 |
專業(yè)幫助客戶找貨 配單,誠信可靠! |
詢價 |
