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STB36NM60N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB36NM60N
廠商型號

STB36NM60N
功能描述

Automotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II
文件大小

1.36347 Mbytes
頁面數(shù)量

18 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-16 11:34:00

STB36NM60N規(guī)格書詳情

Description

These FDmesh? II Power MOSFETs with

intrinsic fast-recovery body diode are produced

using the second generation of MDmesh?

technology. Utilizing a new strip-layout vertical

structure, these revolutionary devices feature

extremely low on-resistance and superior

switching performance. They are ideal for bridge

topologies and ZVS phase-shift converters.

Features

? Designed for automotive applications and

AEC-Q101 qualified

? 100 avalanche tested

? Low input capacitance and gate charge

? Low gate input resistance

? Extremely high dv/dt and avalanche

capabilities

Applications

? Automotive switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    STB36NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
19+
TO-263
960
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
STMicroelectronics
23+
TO263
50000
只做原裝正品
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ST/意法半導(dǎo)體
2023+
TO-263-3
6000
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TO263
223
向鴻原裝正品/代理渠道/現(xiàn)貨優(yōu)勢
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ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-263-3
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原裝正品
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ST/意法半導(dǎo)體
2023
TO-263-3
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ST/意法半導(dǎo)體
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