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STB4NK60Z-1中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STB4NK60Z-1 |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 1.7 Ω typ., 4 A SuperMESH? Power MOSFETs in I2PAK, D2PAK, IPAK and DPAK packages |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | I2PAK |
| 文件大小 |
731.33 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
32 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-21 23:00:00 |
STB4NK60Z-1規(guī)格書詳情
Description
These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs
developed using the SuperMESH? technology by STMicroelectronics, an
optimization of the well-established PowerMESH?. In addition to a significant
reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt
capability for the most demanding applications.
Features
? Extremely high dv/dt capability
? 100 avalanche tested
? Gate charge minimized
? Zener-protected
Applications
? Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STB4NK60Z-1
- 功能描述：
MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
6250 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ST |
23+ |
原盒原包裝 |
33000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
ST |
2020+ |
TO262 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
I2PAK |
16800 |
絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!? |
詢價 | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
I2PAK |
6000 |
誠信服務(wù)，絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
ST/意法 |
16+ |
TO-261 |
1000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023+ |
TO-262-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
I2PAK |
3800 |
大批量供應(yīng)優(yōu)勢庫存熱賣 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 |
