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STB55NE06L中文資料意法半導體數據手冊PDF規(guī)格書

STB55NE06L
廠商型號

STB55NE06L

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

文件大小

55.33 Kbytes

頁面數量

5

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-19 18:34:00

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STB55NE06L規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique Single Feature Size? strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.018 ?

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW GATE CHARGE 100 °C

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT SALES OFFICE

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION, ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc. )

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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