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STB57N65M5中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB57N65M5
廠商型號

STB57N65M5
功能描述

N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFET
文件大小

1.36435 Mbytes
頁面數(shù)量

22 頁
生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 23:00:00
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STB57N65M5規(guī)格書詳情

Description

These devices are N-channel MDmesh? V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features

■ Worldwide best RDS(on)*area amongst the silicon based devices

■ Higher VDSS rating, high dv/dt capability

■ Excellent switching performance

■ Easy to drive, 100 avalanche tested

Applications

■ Switching applications

產品屬性

  • 型號：

    STB57N65M5

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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