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STB80NE06-10中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB80NE06-10
廠商型號

STB80NE06-10

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

文件大小

94.7 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-7 20:00:00

STB80NE06-10規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size? ” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.0085 ?

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT SALES OFFICE

APPLICATIONS

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ DC-DC CONVERTERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STB80NE06-10

  • 功能描述:

    MOSFET RO 511-STB80NF06

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
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