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STB80NF55-08-1中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STB80NF55-08-1規(guī)格書詳情
Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
■ Standard threshold drive
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STB80NF55-08-1
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
STripFET™
- 標準包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
D2PAK |
1000 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
D2PAK-3 |
6000 |
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24+ |
D2PAK-3 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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