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STBV22500BY4中文資料遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STBV22500BY4
廠商型號(hào)

STBV22500BY4

功能描述

GaN HEMT 50V, 500W,2.1-2.2GHz RF Power Transistor

文件大小

1.54978 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Innogration Technologies, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

INNOGRATION遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技

中文名稱

遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-5-25 13:39:00

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STBV22500BY4規(guī)格書(shū)詳情

Description

The STBV22500BY4 is a dual path 500watt , Input matched GaN HEMT, ideal for applications from

2.1 to 2.2GHz especially for LTE/5G

There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies.

Applications

? Asymmetrical Doherty amplifier within 2.1-2.2GHz

? S band power amplifier

? CW or pulsed Amplifier

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
ROHS+Original
NA
15000
專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈/QQ 350053121 /正納電子
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