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STD10NM60ND中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STD10NM60ND
廠商型號(hào)

STD10NM60ND

功能描述

N-channel 600 V, 0.57, 8 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode)

絲印標(biāo)識(shí)

10NM60ND

封裝外殼

DPAK

文件大小

1.2278 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-27 20:46:00

STD10NM60ND規(guī)格書(shū)詳情

Description

This FDmesh? II Power MOSFET with intrinsic fast-recovery body diode is produced using the second generation of MDmesh? technology. Utilizing a new strip-layout vertical structure, this revolutionary device features extremely low onresistance and superior switching performance. It is ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

■ Extremely high dv/dt avalanche capabilities

Applications

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STD10NM60ND

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
24+
35200
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ST/意法
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