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STD11NM50N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STD11NM50N |
| 功能描述 | N-channel 500 V, 0.4, 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP and TO-220 |
| 文件大小 |
675.27 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-22 18:05:00 |
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STD11NM50N規(guī)格書詳情
Description
These devices are made using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STD11NM50N
- 功能描述：
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
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詢價 | ||
ST專家 |
DPAK |
23500 |
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詢價 | |||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
強勢渠道訂貨 7-10天 |
詢價 | ||
ST/意法 |
2223+ |
TO-252-3 |
26800 |
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詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
15000 |
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詢價 | |||
ST |
20+ |
TO-252-3 |
69052 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
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詢價 | ||||
ST/意法 |
21+ |
TO-252-3 |
5000 |
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅 |
詢價 |
