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STD15N06L	文件：140.04 Kbytes Page：10 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.075? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZ	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
15N06	文件：1.00223 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
15N06	文件：245.73 Kbytes Page：6 Pages	15A,60VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
15N06	文件：67.34 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
15N06	文件：247.26 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC15N06usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES *RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
15N06L	文件：153.75 Kbytes Page：4 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂股份有限公司	PANJIT
FDMC15N06	文件：619.76 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET55V,15A,0.090廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU15N06L	文件：997.87 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
HFP15N06	文件：362.08 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ?15A,60V(SeeNote),RDS(on)	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
MTB15N06E	文件：231.14 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTB15N06E	文件：332.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTB15N06V	文件：332.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTB15N06V	文件：279.85 Kbytes Page：11 Pages	PowerFieldEffectTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTB15N06V	文件：274.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06	文件：179.79 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06	文件：218.7 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTD15N06V	文件：1.00427 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
MTD15N06V	文件：230.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MTD15N06V	文件：218.7 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
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詳細參數(shù)

型號：
STD15N06L
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全稱：
STMicroelectronics
功能描述：
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市亞泰盈科電子有限公司	STD15N06L	ST		SOT252	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	STD15N06L	ST	23+	TO-252	8795		詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	STD15N06L		24+	N/A	2300		詢價
深圳市星佑電子有限公司	STD15N06L	ST	06+	TO-252	8000	原裝庫存	詢價
深圳市維爾達電子有限公司	STD15N06L	ST	2023+	SOT252	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	STD15N06L	ST	21+		35200	一級代理/放心采購	詢價
深圳市億智騰科技有限公司	STD15N06L	ST	24+	TO-251/252	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價
深圳市澳億芯電子科技有限公司	STD15N06L	ST	08+		18000	普通	詢價
深圳市鼎欣微電子有限公司	STD15N06L	ST/意法	21+	TO-252	30000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	STD15N06L	ST/意法	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價

更多STD15N06L供應(yīng)商更新時間2024-12-25 14:00:00

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