首頁>STD16NE10>規(guī)格書詳情

STD16NE10中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD16NE10
廠商型號

STD16NE10

功能描述

N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 16A - IPAK/DPAK STripFET MOSFET

文件大小

88.74 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-4 11:49:00

STD16NE10規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” strip-based process.The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.07 ?

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ THROUG-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)

APPLICATIONS

■ DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVERS,etc.)

■ DC-DC & DC-ACCONVERTERS

■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STD16NE10

  • 功能描述:

    MOSFET RO 511-STD15NF10 TO-252 N-CH 100V 16A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
24+
TO-252
35200
一級代理/放心采購
詢價
ST
23+
TO-252
8795
詢價
ST
2020+
DPAK
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
詢價
ST/意法
23+
TO-252
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
詢價
ST/意法
22+
TO-252
20000
保證原裝正品,假一陪十
詢價
ST
2015+
TO252D
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)
詢價
ST/意法
24+
TO-252
20000
只做原廠渠道 可追溯貨源
詢價
ST
2021+
TO-252
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
詢價
VBSEMI/臺灣微碧
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
ST
22+23+
TO252
73257
絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨
詢價