首頁>STD2NB60T4>規(guī)格書詳情

STD2NB60T4中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD2NB60T4
廠商型號

STD2NB60T4
功能描述

N-CHANNEL 600V - 3.3OHM - 2.6A DPAK/IPAK PowerMESHTM MOSFET
文件大小

228.59 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體（ST）集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時間

2024-11-17 16:10:00

STD2NB60T4規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

Using the latest high voltage MESH OVERLAY? process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.

FEATURES SUMMARY

■ TYPICAL RDS(on) = 3.3 ?

■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING

EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    STD2NB60T4

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 600 Volt 2 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
TO-252
93480
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價
ST
17+
TO-252
6200
詢價
INFINEON/英飛凌
24+
TO-252
56000
公司進口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持
 詢價
ST
24+
TO-252
7600
新進庫存/原裝
 詢價
ST/意法
21+
TO-252
16800
只做原裝,質量保證
 詢價
ST
2020+
TO-252
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
VBsemi(臺灣微碧)
2112+
TO-252
105000
2500個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,
 詢價
ST/意法
23+
TO-252
10000
公司只做原裝正品
 詢價
ST
22+
TO252
28600
只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級代理
 詢價
ST/意法
17+
TO-252
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價

相關庫存

更多