STD4N62K3中文資料意法半導體數據手冊PDF規(guī)格書
產品屬性
- 型號:
STD4N62K3
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO252 |
50000 |
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詢價 | ||
ST/意法半導體 |
24+ |
TO-252-3 |
7188 |
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詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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詢價 | ||
ST |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原廠渠道,現貨配單 |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO252 |
8900 |
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STM-專營 |
TO252 |
53650 |
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詢價 | |||
ST/意法 |
15+ |
TO-252 |
936 |
詢價 | |||
24+ |
TO252 |
65300 |
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詢價 |