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STD65N55中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD65N55
廠商型號

STD65N55

功能描述

N-channel 55V - 8.0mΩ - 65A - DPAK MDmesh? low voltage Power MOSFET

絲印標識

D65N55

封裝外殼

DPAK

文件大小

210.45 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-23 22:30:00

STD65N55規(guī)格書詳情

General features

■ Standard threshold drive

■ 100 avalanche tested

Description

This N-Channel enhancement mode Power

MOSFET is the latest refinement of

STMicroelectronic unique “Single Feature Size?“

strip-based process with less critical aligment

steps and therefore a remarkable manufacturing

reproducibility. The resulting transistor shows

extremely high packing density for low onresistance,

rugged avalanche characteristics and

low gate charge.

Applications

■ Switching application

– Automotive

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STD65N55

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 55V 7.0mOh 110W STripFETIII 80A 55V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
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