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STD95P3LLH6AG分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
STD95P3LLH6AG |
參數(shù)屬性 | STD95P3LLH6AG 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK |
功能描述 | Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mΩ typ., -80 A STripFET? H6 Power MOSFET in a DPAK package |
絲印標識 | |
封裝外殼 | DPAK |
文件大小 |
731.16 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-25 20:00:00 |
人工找貨 | STD95P3LLH6AG價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STD95P3LLH6AG規(guī)格書詳情
STD95P3LLH6AG屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STD95P3LLH6AG晶體管 - FET,MOSFET - 單個分立式場效應晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機控制、固態(tài)照明及其他應用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時又能承載大電流,使其在這些應用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競爭力。
Features
? Designed for automotive applications and
AEC-Q101 qualified
? Very low on-resistance
? Very low gate charge
? High avalanche ruggedness
? Low gate drive power loss
? Logic level
Applications
? Switching applications
Description
This device is a P-channel Power MOSFET
developed using the STripFET? H6 technology
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all
packages.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STD95P3LLH6AG
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 系列:
STripFET? H6
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
80A(Tj)
- 描述:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
DPAK |
100000 |
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詢價 | ||
ST/意法半導體 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
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ST |
25+23+ |
TO220 |
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ST/意法半導體 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
TO-252-3 |
8860 |
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詢價 | ||
ST |
24+ |
DPAK |
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ST/意法 |
22+ |
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STMicroelectronics |
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ST |
2447 |
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