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STG200M65F2D8AG

Automotive-grade 650 V, 200 A trench gate field-stop M series low-loss IGBT die in D8 packing

Features ?AEC-Q101qualified ?Low-lossseriesIGBT ?LowVCE(sat)=1.55V(typ.)atIC=200A ?PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient ?Tightparameterdistribution ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?6μsminimumshort-circuitwithstandingtimeatTJ=150C Descriptio

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STG200M65F2D8AG供應(yīng)商 更新時間2025-2-4 17:08:00

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