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STG3P2M10N60B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

STG3P2M10N60B
廠商型號

STG3P2M10N60B

參數(shù)屬性

STG3P2M10N60B 封裝/外殼為SEMITOP?2;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2

功能描述

1-Phase bridge rectifier 3 phase inverter IGBT - SEMITOP 2 module
IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2

封裝外殼

SEMITOP?2

文件大小

319.86 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-25 20:00:00

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STG3P2M10N60B規(guī)格書詳情

STG3P2M10N60B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STG3P2M10N60B晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STG3P2M10N60B

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    SEMITOP?

  • 包裝:

    托盤

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,7A

  • 輸入:

    單相橋式整流器

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SEMITOP?2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SEMITOP?2

  • 描述:

    IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2

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