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STG3P2M10N60B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
STG3P2M10N60B |
參數(shù)屬性 | STG3P2M10N60B 封裝/外殼為SEMITOP?2;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2 |
功能描述 | 1-Phase bridge rectifier 3 phase inverter IGBT - SEMITOP 2 module |
封裝外殼 | SEMITOP?2 |
文件大小 |
319.86 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-25 20:00:00 |
人工找貨 | STG3P2M10N60B價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STG3P2M10N60B規(guī)格書詳情
STG3P2M10N60B屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STG3P2M10N60B晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STG3P2M10N60B
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 系列:
SEMITOP?
- 包裝:
托盤
- 配置:
三相反相器
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,7A
- 輸入:
單相橋式整流器
- NTC 熱敏電阻:
無
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
SEMITOP?2
- 供應(yīng)商器件封裝:
SEMITOP?2
- 描述:
IGBT MOD 600V 19A 56W SEMITOP2
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ST/意法 |
24+ |
NA/ |
7750 |
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ST |
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