STGB10NB37LZ 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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1+	面議

廠家型號：
STGB10NB37LZ
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
生產廠商：
ST
庫存數量：
1000
產品封裝：
?TO-263
生產批號：
06+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-2-9 9:15:00

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原廠料號：STGB10NB37LZ品牌：ST

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STGB10NB37LZ是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產封裝?TO-263/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的STGB10NB37LZ晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
STGB10NB37LZ
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
內容頁數：
10 頁
文件大?。?/span>
445.81 kb
資料說明：
N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMesh TM IGBT

產品屬性

類型
描述
產品編號：
STGB10NB37LZT4
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
PowerMESH?
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 4.5V，10A
開關能量：
2.4mJ（開），5mJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
1.3μs/8μs
測試條件：
328V，10A，1 千歐，5V
工作溫度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝：
D2PAK
描述：
IGBT 440V 20A 125W D2PAK

供應商

企業(yè)：
深圳市星佑電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
李先生.張小姐
手機：
13682592920/13713568066
詢價：
電話：
0755-83997861/83993781
傳真：
0755-83997996
地址：
深圳市福田區(qū)深南中路3007號國際科技大廈2201

STGB10NB37LZ 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGB10NB37LZ

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