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STGB10NC60KD 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGB10NC60KD參考圖片

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原廠料號：STGB10NC60KD品牌：ST/意法

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STGB10NC60KD是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產封裝TO-263/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的STGB10NC60KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    STGB10NC60KD

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 內容頁數(shù)：

    20 頁

  • 文件大?。?/span>

    613.22 kb

  • 資料說明：

    10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    STGB10NC60KDT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，5A

  • 開關能量：

    55μJ（開），85μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    17ns/72ns

  • 測試條件：

    390V，5A，10歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 65W D2PAK

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市威爾健半導體有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    蘇經理

  • 手機：

    17302670410

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83383789

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17e

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