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STGB12NB60KDT4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

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原廠料號：STGB12NB60KDT4品牌：ST/意法

原裝正品,支持實單

STGB12NB60KDT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO263/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的STGB12NB60KDT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    STGB12NB60KDT4

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大?。?/span>

    531.51 kb

  • 資料說明：

    N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGB12NB60KDT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，12A

  • 開關(guān)能量：

    258μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    25ns/96ns

  • 測試條件：

    480V，12A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 600V 30A 125W D2PAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市勝彬電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    段小姐

  • 手機：

    18902465585

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83135478

  • 傳真：

    0755-82780849

  • 地址：

    深圳市龍華區(qū)觀湖街道環(huán)觀南路94號德盛昌大廈10樓1010/深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1101

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