STGB19NC60HDT4_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 N Ch 600V 19A恒凱威科技

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  • 廠(chǎng)家型號(hào):

    STGB19NC60HDT4

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠(chǎng)商:

    ST/意法半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    8860

  • 產(chǎn)品封裝:

    D2PAK-3

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    21+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2025-2-4 16:38:00

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原廠(chǎng)料號(hào):STGB19NC60HDT4品牌:ST/意法半導(dǎo)體

只做原裝,質(zhì)量保證

  • 芯片型號(hào):

    STGB19NC60HDT4

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng):

    STMicroelectronics

  • 中文名稱(chēng):

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    17 頁(yè)

  • 文件大小:

    724.64 kb

  • 資料說(shuō)明:

    19 A - 600 V - very fast IGBT

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào):

    STGB19NC60HDT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 N Ch 600V 19A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市恒凱威科技開(kāi)發(fā)有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    朱小姐

  • 手機(jī):

    18928498787

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話(huà):

    0755-22318162/0755-22207335

  • 傳真:

    0755-22318162

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)101棟610A室