STGB20NB41LZT4_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導(dǎo)體

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原廠料號:STGB20NB41LZT4品牌:STMicroelectronics

資料說明:IGBT 442V 40A 200W D2PAK

STGB20NB41LZT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的STGB20NB41LZT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    stgb20nb41lzt4

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明:

    IGBT 442V 40A 200W D2PAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    STGB20NB41LZT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 4.5V,20A

  • 開關(guān)能量:

    5mJ(開),12.9mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    1μs/12.1μs

  • 測試條件:

    320V,20A,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 442V 40A 200W D2PAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
24+
NA
860000
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STMicroelectronics
24+
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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D2PAK
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TO-263
9865
原裝MOS管(場效應(yīng)管).
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DPAK
7750
全新原裝優(yōu)勢
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TO-263
7500
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ST專家
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D2PAK
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