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STGB35N35LZ分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGB35N35LZ
廠商型號

STGB35N35LZ
參數(shù)屬性

STGB35N35LZ 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 345V 40A 176W D2PAK
功能描述

Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ
IGBT 345V 40A 176W D2PAK
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

720.09 Kbytes
頁面數(shù)量

18 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-9 10:34:00
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STGB35N35LZ規(guī)格書詳情

STGB35N35LZ屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGB35N35LZ晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Description

This application specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH? technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system.

Features

? Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified

? Low threshold voltage

? Low on-voltage drop

? High voltage clamping feature

? Logic level gate charge

? ESD gate-emitter protection

? Gate and gate-emitter integrated resistors

Application

? Automotive ignition

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGB35N35LZT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.7V @ 4.5V，15A

  • 輸入類型：

    邏輯

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    1.1μs/26.5μs

  • 測試條件：

    300V，15A，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    D2PAK（TO-263）

  • 描述：

    IGBT 345V 40A 176W D2PAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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