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STGB3NC120HD中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STGB3NC120HD
廠商型號

STGB3NC120HD

功能描述

7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diode

文件大小

769.83 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-25 17:00:00

STGB3NC120HD規(guī)格書詳情

Description

This high voltage and very fast IGBT shows an

excellent trade-off between low conduction losses

and fast switching performance. It is designed in

PowerMESH? technology combined with high

voltage ultrafast diode.

Features

■ High voltage capability

■ High speed

■ Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode

Applications

■ Home appliance

■ Lighting

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STGB3NC120HD

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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