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STGB7NB60HD分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGB7NB60HD
廠商型號

STGB7NB60HD
參數(shù)屬性

STGB7NB60HD 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT 600V 14A 80W D2PAK
功能描述

N-CHANNEL 7A - 600V DPAK PowerMESH IGBT
IGBT 600V 14A 80W D2PAK
封裝外殼

TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
文件大小

322.89 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 18:27:00
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STGB7NB60HD規(guī)格書詳情

STGB7NB60HD屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGB7NB60HD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH? IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix ”H” identifies a family optimized to achieve very low switching times for high frequency applications (

■ HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE DRIVEN)

■ LOW ON-VOLTAGE DROP (Vcesat)

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ VERY HIGH FREQUENCY OPERATION

■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT

■ CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH? ANTIPARALLEL DIODE

■ SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263)

POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)

APPLICATIONS

■ HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS

■ SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCH AND RESONANT TOPOLOGIES

產品屬性

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  • 產品編號：

    STGB7NB60HDT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，7A

  • 開關能量：

    85μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    15ns/75ns

  • 測試條件：

    480V，7A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 600V 14A 80W D2PAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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