STGB8NC60KT4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

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原廠料號:STGB8NC60KT4品牌:STM

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STGB8NC60KT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STM/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-263/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的STGB8NC60KT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    STGB8NC60KT4

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明:

    IGBT 晶體管 N Ch 1000V 2.5A Pwr MOSFET

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    STGB8NC60KT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,3A

  • 開關(guān)能量:

    55μJ(開),85μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    17ns/72ns

  • 測試條件:

    390V,3A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 15A 65W D2PAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市科雨電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    周小姐

  • 手機(jī):

    17147551968

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    171-4755-1968

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2418室