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首頁(yè)>STGBL6NC60DIT4>芯片詳情
STGBL6NC60DI 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):STGBL6NC60DI品牌:ST/意法
STGBL6NC60DI是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝D2PAK/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的STGBL6NC60DI晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGBL6NC60DIT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類(lèi)別:
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.9V @ 15V,3A
- 開(kāi)關(guān)能量:
32μJ(開(kāi)),24μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
6.7ns/46ns
- 測(cè)試條件:
390V,3A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
D2PAK
- 描述:
IGBT 600V 14A 56W D2PAK
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
彭先生
- 手機(jī):
19129491930
- 詢(xún)價(jià):
- 電話:
0755-83798281
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北 華強(qiáng)廣場(chǎng)D棟18層18B
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