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STGD10NC60S	文件：1.27233 Mbytes Page：18 Pages	10 A, 600 V fast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGD10NC60SD	文件：1.07434 Mbytes Page：16 Pages	10 A, 600 V fast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGD10NC60SDT4	文件：1.07434 Mbytes Page：16 Pages	10 A, 600 V fast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGD10NC60ST4	文件：1.27233 Mbytes Page：18 Pages	10 A, 600 V fast IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGD10NC60SDT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 18A 60W DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGD10NC60ST4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 18A 60W DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGF10NC60HD	文件：410.77 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-10A-TO-220-D2PAK-TO-220FPveryfastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGF10NC60HD	文件：774.03 Kbytes Page：19 Pages	600V-10A-veryfastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGF10NC60HD	文件：771.12 Kbytes Page：19 Pages	600V-10A-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGF10NC60KD	文件：1.6576 Mbytes Page：30 Pages	10A,600Vshort-circuitruggedIGBT Description ThesedevicesareveryfastIGBTsdeveloped usingadvancedPowerMESH?technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thesedevicesarewell-suitedfor resonantorsoft-switchingapplications. Features ?Lowe	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGF10NC60KD	文件：526.13 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/TO-220FPShortcircuitratedPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGF10NC60KD	文件：379.54 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-10A-D2PAK/TO-220/TO-220FPShortcircuitratedPowerMESHIGBT Description Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH?IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“K”identifiesafamilyoptimizedforhighfrequencymotorcontrolapplicationswit	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGF10NC60KD	文件：613.22 Kbytes Page：20 Pages	10A,600Vshort-circuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGF10NC60SD	文件：1.07434 Mbytes Page：16 Pages	10A,600VfastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H	文件：104.11 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL10A-600V-TO-220VERYFASTPowerMESH??IGBT Generalfeatures ■LOWERON-VOLTAGEDROP(Vcesat) ■LOWERCRES/CIESRATIO(NO CROSS-CONDUCTIONSUSCEPTIBILITY) ■VERYSOFTULTRAFASTRECOVERY ANTIPARALLELDIODE Description Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedon apatentedstriplayout,STMicroelectronicshas designedana	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H	文件：272.72 Kbytes Page：13 Pages	N-channel10A-600V-TO-220VeryfastPowerMESHTMIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60H	文件：315.32 Kbytes Page：13 Pages	N-channel10A-600V-TO-220VeryfastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：771.12 Kbytes Page：19 Pages	600V-10A-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：774.03 Kbytes Page：19 Pages	600V-10A-veryfastIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
STGP10NC60HD	文件：410.77 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V-10A-TO-220-D2PAK-TO-220FPveryfastPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
STGD10NC60S
功能描述：
IGBT 晶體管 10 A-600 V fast IGBT
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市華斯頓科技有限公司	STGD10NC60S	ST全系列	22+23+	DPAK	26158	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	STGD10NC60S	ST	1926+	DPAK	6852	只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!	詢價(jià)
深圳市興燦科技有限公司	STGD10NC60S	STM原廠目錄	24+	DPAK	28500	授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	STGD10NC60S	ST/意法	23+	DPAK	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	STGD10NC60S	ST	22+	DPAK	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市源澤芯電子有限公司	STGD10NC60S	ST	15+	DPAK	500	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠萬力挺實(shí)單	詢價(jià)
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	STGD10NC60S	ST		DPAK	93480	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	STGD10NC60S	ST	22+	DPAK	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價(jià)
深圳和潤天下電子科技有限公司	STGD10NC60S	ST/意法	22+	DPAK	96838		詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	STGD10NC60S	ST	24+	DPAK	53200	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)

更多STGD10NC60S供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-4 16:50:00

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