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STGD10NC60S

10 A, 600 V fast IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGD10NC60SD

10 A, 600 V fast IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGD10NC60SDT4

Marking：GD10NC60SD；Package：DPAK；10 A, 600 V fast IGBT

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STGD10NC60ST4

Marking：GD10NC60S；Package：DPAK；10 A, 600 V fast IGBT

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGD10NC60SDT4

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 18A 60W DPAK

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGD10NC60ST4

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 18A 60W DPAK

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STGF10NC60HD

N-channel600V-10A-TO-220-D2PAK-TO-220FPveryfastPowerMESHIGBT

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGF10NC60HD

600V-10A-veryfastIGBT

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGF10NC60HD

600V-10A-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH? processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov

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STGF10NC60KD

10A,600Vshort-circuitruggedIGBT

Description ThesedevicesareveryfastIGBTsdeveloped usingadvancedPowerMESH?technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thesedevicesarewell-suitedfor resonantorsoft-switchingapplications. Features ?Lowe

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    STGD10NC60S

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 10 A-600 V fast IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGD10NC60S供應(yīng)商 更新時間2025-2-4 10:47:00

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