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STGD18N40LZ-1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD18N40LZ-1
廠商型號

STGD18N40LZ-1

參數(shù)屬性

STGD18N40LZ-1 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 420V 25A 125W IPAK

功能描述

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT
IGBT 420V 25A 125W IPAK

封裝外殼

TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

文件大小

636.58 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-13 20:17:00

STGD18N40LZ-1規(guī)格書詳情

STGD18N40LZ-1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGD18N40LZ-1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGD18N40LZ-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 4.5V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    650ns/13.5μs

  • 測試條件:

    300V,10A,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    I-PAK

  • 描述:

    IGBT 420V 25A 125W IPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
20+
DPAK-3
69052
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
ST
1932+
TO-252
265
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
STM
11+
DPAK(TO-252)
5000
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
詢價
STMicro.
23+
D2PAK
7750
全新原裝優(yōu)勢
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ST/意法
21+
TO-251
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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ST
23+
TO-252
10000
原裝正品,假一罰十
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ST/意法
21+
DPAK-3
1773
只做原裝,一定有貨,不止網(wǎng)上數(shù)量,量多可訂貨!
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ST(意法)
23+
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正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務(wù)做口碑有支持
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