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STGD18N40LZ-1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
STGD18N40LZ-1 |
參數(shù)屬性 | STGD18N40LZ-1 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 420V 25A 125W IPAK |
功能描述 | EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT |
文件大小 |
896 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
19 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-26 14:28:00 |
STGD18N40LZ-1規(guī)格書詳情
STGD18N40LZ-1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGD18N40LZ-1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGD18N40LZ-1
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.7V @ 4.5V,10A
- 輸入類型:
邏輯
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
650ns/13.5μs
- 測試條件:
300V,10A,5V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
I-PAK
- 描述:
IGBT 420V 25A 125W IPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST/意法 |
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DPAK-3 |
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STMicroelectronics |
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ST |
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TO-251 |
35200 |
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ST |
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DPAK-3 |
69052 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
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ST |
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TO-252 |
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ST |
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