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STGD18N40LZ-1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD18N40LZ-1
廠商型號

STGD18N40LZ-1

參數(shù)屬性

STGD18N40LZ-1 封裝/外殼為TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 420V 25A 125W IPAK

功能描述

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT
IGBT 420V 25A 125W IPAK

文件大小

896 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-26 14:28:00

STGD18N40LZ-1規(guī)格書詳情

STGD18N40LZ-1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGD18N40LZ-1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGD18N40LZ-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 4.5V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    650ns/13.5μs

  • 測試條件:

    300V,10A,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    I-PAK

  • 描述:

    IGBT 420V 25A 125W IPAK

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