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STGD5NB120SZT4_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：STGD5NB120SZT4品牌：STMicroelectronics

資料說明：IGBT 1200V 10A 75W DPAK

STGD5NB120SZT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的STGD5NB120SZT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    stgd5nb120szt4

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說明：

    IGBT 1200V 10A 75W DPAK

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGD5NB120SZT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，5A

  • 開關(guān)能量：

    2.59mJ（開），9mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    690ns/12.1μs

  • 測(cè)試條件：

    960V，5A，1 千歐，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 1200V 10A 75W DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST
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TO252
8950
BOM配單專家,發(fā)貨快,價(jià)格低
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原廠原包
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原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,工廠客戶可以放款。17377264928微信同
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-252-3
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原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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STMicro.
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DPAK
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全新原裝優(yōu)勢(shì)
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STMicroelectronics
24+
NA
3553
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
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